FCA36N60NF Preise (USD) [7690Stück Lager]
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- 100 pcs$3.96396
- Artikelnummer:
- FCA36N60NF
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCA36N60NF elektronische Komponenten. FCA36N60NF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCA36N60NF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FCA36N60NF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCA36N60NF
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Serie :
FRFET®, SuperFET® II
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
34.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
112nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4245pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
312W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3PN
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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