VS-GT50TP60N Preise (USD) [535Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-GT50TP60N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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VS-GT50TP60N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GT50TP60N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
85A
Leistung max :
208W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
3.03nF @ 30V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package :
INT-A-PAK
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