APT65GP60L2DQ2G Preise (USD) [4947Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APT65GP60L2DQ2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 198A 833W TO264.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Leistungstreibermodule and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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APT65GP60L2DQ2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT65GP60L2DQ2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 600V 198A 833W TO264
Serie :
POWER MOS 7®
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
198A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
250A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 65A
Leistung max :
833W
Energie wechseln :
605µJ (on), 895µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
30ns/90ns
Testbedingung :
400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package :
-
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