Infineon Technologies - IRFL4105TR

KEY Part #: K6415043

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    Artikelnummer:
    IRFL4105TR
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFL4105TR elektronische Komponenten. IRFL4105TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFL4105TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFL4105TR Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRFL4105TR
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.7A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-223
    Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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