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Microsemi Corporation - JAN1N6638US

KEY Part #: K6427385

JAN1N6638US Preise (USD) [10397Stück Lager]

  • 1 pcs$5.38349
  • 100 pcs$5.35671
Artikelnummer:
JAN1N6638US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes .3A ULTRA FAST 115V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N6638US elektronische Komponenten. JAN1N6638US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N6638US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6638US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N6638US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/578
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 300mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 20ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 150V
Kapazität @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AB, MELF
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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