SIDC23D120H8X1SA1 Preise (USD) [24354Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIDC23D120H8X1SA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SIDC23D120H8X1SA1 elektronische Komponenten. SIDC23D120H8X1SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDC23D120H8X1SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIDC23D120H8X1SA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIDC23D120H8X1SA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
35A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.97V @ 35A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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