JANTXV1N5807 Preise (USD) [5070Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- JANTXV1N5807
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 50V HRV 6FFTV
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5807 elektronische Komponenten. JANTXV1N5807 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5807 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
JANTXV1N5807 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
JANTXV1N5807
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F :
65pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
B, Axial
Supplier Device Package :
-
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
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