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- Artikelnummer:
- SPP02N60C3HKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - RF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPP02N60C3HKSA1 elektronische Komponenten. SPP02N60C3HKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPP02N60C3HKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPP02N60C3HKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPP02N60C3HKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 80µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
25W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Paket / fall :
TO-220-3
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