Infineon Technologies - BSM150GB120DN2HOSA1

KEY Part #: K6534310

BSM150GB120DN2HOSA1 Preise (USD) [589Stück Lager]

  • 1 pcs$78.76742

Artikelnummer:
BSM150GB120DN2HOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 2 MED POWER 62MM-1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSM150GB120DN2HOSA1 elektronische Komponenten. BSM150GB120DN2HOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM150GB120DN2HOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM150GB120DN2HOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSM150GB120DN2HOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : -
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 210A
Leistung max : 1250W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 2.8mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 11nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

Sie könnten auch interessiert sein an
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.