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Microsemi Corporation - JANTXV1N5811

KEY Part #: K6450796

JANTXV1N5811 Preise (USD) [5138Stück Lager]

  • 1 pcs$8.58515
  • 102 pcs$8.54244
Artikelnummer:
JANTXV1N5811
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HRV 6FFTV
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5811 elektronische Komponenten. JANTXV1N5811 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5811 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5811 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5811
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 150V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F : 65pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : B, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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