Artikelnummer :
SI5432DC-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead