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Microsemi Corporation - 1N6663US

KEY Part #: K6427629

1N6663US Preise (USD) [4091Stück Lager]

  • 1 pcs$11.02191
  • 10 pcs$10.19677
  • 25 pcs$9.36978
  • 100 pcs$8.70842
  • 250 pcs$7.60204
Artikelnummer:
1N6663US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation 1N6663US elektronische Komponenten. 1N6663US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N6663US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6663US Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N6663US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 500mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 400mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : D-5A
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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