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Microsemi Corporation - JANTXV1N5809US

KEY Part #: K6432943

JANTXV1N5809US Preise (USD) [3371Stück Lager]

  • 1 pcs$12.85125
  • 100 pcs$8.85737
Artikelnummer:
JANTXV1N5809US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5809US elektronische Komponenten. JANTXV1N5809US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5809US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5809US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5809US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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