Microsemi Corporation - JANTX1N5621

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JANTX1N5621 Preise (USD) [11208Stück Lager]

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Artikelnummer:
JANTX1N5621
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 1A FAST 800V HR
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTX1N5621 elektronische Komponenten. JANTX1N5621 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTX1N5621 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5621 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTX1N5621
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/429
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 20pF @ 12V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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