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GeneSiC Semiconductor - MURTA600120R

KEY Part #: K6468990

MURTA600120R Preise (USD) [671Stück Lager]

  • 1 pcs$69.19588
  • 18 pcs$38.91334
Artikelnummer:
MURTA600120R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURTA600120R elektronische Komponenten. MURTA600120R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURTA600120R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA600120R Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURTA600120R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 300A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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