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- Artikelnummer:
- IRFH6200TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFH6200TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH6200TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
49A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
230nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10890pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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