Taiwan Semiconductor Corporation - HERF1007GAHC0G

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HERF1007GAHC0G Preise (USD) [90796Stück Lager]

  • 1 pcs$0.43064

Artikelnummer:
HERF1007GAHC0G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE HIGH EFFICIENT. Rectifiers 10A,800V, G.P. HIGH EFFICIENT DUAL RECTIFIER, ISOLATED
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation HERF1007GAHC0G elektronische Komponenten. HERF1007GAHC0G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HERF1007GAHC0G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HERF1007GAHC0G Produkteigenschaften

Artikelnummer : HERF1007GAHC0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE HIGH EFFICIENT
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 5A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 80ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device Package : ITO-220AB
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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