Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8GTHE3/81

KEY Part #: K6447138

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    Artikelnummer:
    NSB8GTHE3/81
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NSB8GTHE3/81 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NSB8GTHE3/81
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    Serie : -
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
    Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 400V
    Kapazität @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Supplier Device Package : TO-263AB
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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