Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-100MT060WSP

KEY Part #: K6532803

VS-100MT060WSP Preise (USD) [1801Stück Lager]

  • 1 pcs$24.03437
  • 105 pcs$22.88989

Artikelnummer:
VS-100MT060WSP
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-100MT060WSP elektronische Komponenten. VS-100MT060WSP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-100MT060WSP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-100MT060WSP Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-100MT060WSP
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 107A
Leistung max : 403W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.49V @ 15V, 60A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 9.5nF @ 30V
Eingang : Single Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 12-MTP Module
Supplier Device Package : MTP

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT