Artikelnummer :
SI5857DU-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
480pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® ChipFet Dual
Paket / fall :
PowerPAK® ChipFET™ Dual