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ON Semiconductor - FDG361N

KEY Part #: K6411247

[13856Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDG361N
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single and Dioden - Gleichrichter - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDG361N elektronische Komponenten. FDG361N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDG361N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDG361N Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDG361N
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 600mA (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 600mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 153pF @ 50V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 420mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)
    Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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