Infineon Technologies - BAR9002ELSE6327XTSA1

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Artikelnummer:
BAR9002ELSE6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2. PIN Diodes RF DIODES
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAR9002ELSE6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAR9002ELSE6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : PIN - Single
Spannung - Peak Reverse (Max) : 80V
Strom - max : 100mA
Kapazität @ Vr, F : 0.35pF @ 1V, 1MHz
Widerstand @ If, F : 800 mOhm @ 10mA, 100MHz
Verlustleistung (max.) : 250mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Paket / fall : 0201 (0603 Metric)
Supplier Device Package : PG-TSSLP-2-3

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