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GeneSiC Semiconductor - MBR200200CTR

KEY Part #: K6468992

MBR200200CTR Preise (USD) [1317Stück Lager]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681
Artikelnummer:
MBR200200CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 200A Reverse
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR elektronische Komponenten. MBR200200CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR200200CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR200200CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR200200CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 100A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 3mA @ 200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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