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- Artikelnummer:
- IDP08E65D2XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IDP08E65D2XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDP08E65D2XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.3V @ 3A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
40ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2
Supplier Device Package :
TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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Heiße Teile
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
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- FFPF15UP20STTU
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- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
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- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54