Infineon Technologies - IDC21D120T6MX1SA2

KEY Part #: K6439969

IDC21D120T6MX1SA2 Preise (USD) [26568Stück Lager]

  • 1 pcs$1.55126

Artikelnummer:
IDC21D120T6MX1SA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDC21D120T6MX1SA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDC21D120T6MX1SA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.05V @ 35A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 7.7µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

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