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- Artikelnummer:
- DLA11C-TR-E
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor DLA11C-TR-E elektronische Komponenten. DLA11C-TR-E kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DLA11C-TR-E haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DLA11C-TR-E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DLA11C-TR-E
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1.1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
980mV @ 1.1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
2-SMD, J-Lead
Supplier Device Package :
SMD
Betriebstemperatur - Übergang :
150°C (Max)
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