IDC08D120T6MX1SA2 Preise (USD) [62346Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IDC08D120T6MX1SA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IDC08D120T6MX1SA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDC08D120T6MX1SA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.05V @ 10A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
2.7µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
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- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
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- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
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