Microsemi Corporation - APTGT200DH60G

KEY Part #: K6533193

APTGT200DH60G Preise (USD) [1087Stück Lager]

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  • 100 pcs$37.85680

Artikelnummer:
APTGT200DH60G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DH60G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGT200DH60G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Asymmetrical Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 290A
Leistung max : 625W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 12.3nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6