Infineon Technologies - IDH10G65C5ZXKSA1

KEY Part #: K6440943

[3645Stück Lager]


    Artikelnummer:
    IDH10G65C5ZXKSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IDH10G65C5ZXKSA1 elektronische Komponenten. IDH10G65C5ZXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IDH10G65C5ZXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDH10G65C5ZXKSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IDH10G65C5ZXKSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
    Serie : CoolSiC™
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A (DC)
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
    Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 180µA @ 650V
    Kapazität @ Vr, F : 300pF @ 1V, 1MHz
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : TO-220-2
    Supplier Device Package : PG-TO220-2
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

    Sie könnten auch interessiert sein an
    • RURD420S9A_T

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

    • VS-20ETF10PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.

    • UHB10FT-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.

    • VS-E4PU3006L-N3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

    • STTH3002PI

      STMicroelectronics

      DIODE GEN PURP 200V 30A DOP3I. Rectifiers Recovery Diode Ultra Fast

    • STTH8S06FP

      STMicroelectronics

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP. Rectifiers ULT FAST HI VLT RECT TURBO 2