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Microsemi Corporation - APT22F80B

KEY Part #: K6396158

APT22F80B Preise (USD) [8040Stück Lager]

  • 1 pcs$5.63655
  • 10 pcs$5.07334
  • 100 pcs$4.17131
  • 500 pcs$3.49488
Artikelnummer:
APT22F80B
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 22A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT22F80B elektronische Komponenten. APT22F80B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT22F80B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT22F80B Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT22F80B
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 22A TO-247
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4595pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 625W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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