Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
-
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 600V
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AB, SMC
Supplier Device Package :
DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C