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- Artikelnummer:
- IRF8302MTR1PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 30V 31A MX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRF8302MTR1PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF8302MTR1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N CH 30V 31A MX
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31A (Ta), 190A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6030pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MX
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MX
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