ON Semiconductor - NHP620MFDT3G

KEY Part #: K6475200

NHP620MFDT3G Preise (USD) [358937Stück Lager]

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Artikelnummer:
NHP620MFDT3G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL. Rectifiers PUF 3A 200V IN SO-8F
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NHP620MFDT3G elektronische Komponenten. NHP620MFDT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NHP620MFDT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NHP620MFDT3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NHP620MFDT3G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 2 Independent
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 200V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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