ON Semiconductor - MMUN2212LT1G

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Artikelnummer:
MMUN2212LT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMUN2212LT1G Produkteigenschaften

Artikelnummer : MMUN2212LT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 246mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)

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