Infineon Technologies - IDP30C65D2XKSA1

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Artikelnummer:
IDP30C65D2XKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP30C65D2XKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDP30C65D2XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3
Serie : Rapid 2
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.2V @ 15A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 31ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 40µA @ 650V
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3
Supplier Device Package : PG-TO220-3

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