IXTT88N30P Preise (USD) [11044Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTT88N30P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 88A TO-268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTT88N30P elektronische Komponenten. IXTT88N30P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTT88N30P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTT88N30P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTT88N30P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
Serie :
PolarHT™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
88A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
600W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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