Infineon Technologies - IRFSL4127PBF

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IRFSL4127PBF Preise (USD) [32891Stück Lager]

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Artikelnummer:
IRFSL4127PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 72A TO-262.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFSL4127PBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFSL4127PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5380pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-262
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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