NSB8JTHE3_A/I Preise (USD) [104538Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NSB8JTHE3_A/I
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8JTHE3_A/I elektronische Komponenten. NSB8JTHE3_A/I kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NSB8JTHE3_A/I haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NSB8JTHE3_A/I Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NSB8JTHE3_A/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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