Transphorm - TPD3215M

KEY Part #: K6522772

TPD3215M Preise (USD) [522Stück Lager]

  • 1 pcs$97.80421
  • 10 pcs$93.08330

Artikelnummer:
TPD3215M
Hersteller:
Transphorm
Detaillierte Beschreibung:
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPD3215M Produkteigenschaften

Artikelnummer : TPD3215M
Hersteller : Transphorm
Beschreibung : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 100V
Leistung max : 470W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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