Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Zuhause
  2. Produkte
  3. Diskrete Halbleiterprodukte
  4. Dioden - Gleichrichter - Single
  5. 1N1206AR

GeneSiC Semiconductor - 1N1206AR

KEY Part #: K6440122

1N1206AR Preise (USD) [14126Stück Lager]

  • 1 pcs$1.85975
  • 10 pcs$1.65924
  • 25 pcs$1.49327
  • 100 pcs$1.36048
Artikelnummer:
1N1206AR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - RF and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor 1N1206AR elektronische Komponenten. 1N1206AR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N1206AR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1206AR Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N1206AR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device Package : DO-4
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 200°C
Sie könnten auch interessiert sein an
  • SD101AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM

  • BAV19W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM

  • GSD2004W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO

  • GSD2004W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

Heiße Teile