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- Artikelnummer:
- FGA25N120FTD
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 50A 313W TO3P.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FGA25N120FTD Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FGA25N120FTD
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 50A 313W TO3P
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
75A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 25A
Leistung max :
313W
Energie wechseln :
340µJ (on), 900µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
48ns/210ns
Testbedingung :
600V, 25A, 15 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
770ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package :
TO-3P
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