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- Artikelnummer:
- GT10J312(Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 10A 60W TO220SM.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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GT10J312(Q) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GT10J312(Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
10A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
20A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Leistung max :
60W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
-
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
400ns/400ns
Testbedingung :
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
200ns
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-220SM
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