IXYP20N65C3D1M Preise (USD) [37110Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXYP20N65C3D1M
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 650V 18A 50W TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
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IXYP20N65C3D1M Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXYP20N65C3D1M
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
IGBT 650V 18A 50W TO220
Serie :
GenX3™, XPT™
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
105A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 20A
Leistung max :
50W
Energie wechseln :
430µJ (on), 350µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
19ns/80ns
Testbedingung :
400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-3
Supplier Device Package :
TO-220AB
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