RHRD660S9A Preise (USD) [187337Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RHRD660S9A
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
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- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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RHRD660S9A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RHRD660S9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.1V @ 6A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
TO-252AA
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 175°C
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- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
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- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
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- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
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