Infineon Technologies - BSP317PH6327XTSA1

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Artikelnummer:
BSP317PH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP317PH6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSP317PH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 430mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 430mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 370µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 262pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223-4
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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