DMP56D0UFB-7B Preise (USD) [832040Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMP56D0UFB-7B
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7B elektronische Komponenten. DMP56D0UFB-7B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMP56D0UFB-7B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMP56D0UFB-7B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMP56D0UFB-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.58nC @ 4V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
50.54pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
425mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall :
3-UFDFN
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