IPD80R1K2P7ATMA1 Preise (USD) [170639Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPD80R1K2P7ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD80R1K2P7ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 80µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
37W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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