Vishay Semiconductor Diodes Division - S1G-E3/5AT

KEY Part #: K6454940

S1G-E3/5AT Preise (USD) [1784418Stück Lager]

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Artikelnummer:
S1G-E3/5AT
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt 40A IFSM @ 8.3ms
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division S1G-E3/5AT elektronische Komponenten. S1G-E3/5AT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu S1G-E3/5AT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1G-E3/5AT Produkteigenschaften

Artikelnummer : S1G-E3/5AT
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1.8µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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