Diodes Incorporated - BSS84TA

KEY Part #: K6415139

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    Artikelnummer:
    BSS84TA
    Hersteller:
    Diodes Incorporated
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated BSS84TA elektronische Komponenten. BSS84TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSS84TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS84TA Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BSS84TA
    Hersteller : Diodes Incorporated
    Beschreibung : MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : P-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 50V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 130mA (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 100mA, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-23-3
    Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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