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- Artikelnummer:
- SIDC09D60F6X1SA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SIDC09D60F6X1SA2 elektronische Komponenten. SIDC09D60F6X1SA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDC09D60F6X1SA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIDC09D60F6X1SA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIDC09D60F6X1SA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
Serie :
-
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
30A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 30A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
27µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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